专家阐释功率电子技术未来发展趋势

    飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的技术专家将与来自电子界和学术界的专家一起，于2010年6月1至3日在上海举办的PCIM China 2010展会上发表演说，阐述功率电子技术的最新发展状况和未来的发展趋势。
    将发表题为《优化功率MOSFET和IGBT的共模和差模噪声抑制》的文章，重点阐述大功率MOSFET和IGBT 在多相功率转换应用中的运作，以及如何优化抗噪能力，也会探讨使用光耦合MOSFET驱动器来提升栅极驱动电路的抗噪声能力。
    PCIM China 是中国最重要的功率电子展会。此展会面向功率电子行业和大专院校的研究人员和开发人员，并将探讨广泛的论题，如功率电子组件和系统、功率转换器、马达驱动和运动控制系统，以及功率质量解决方案。